中國打造 EUV 曝光機計畫曝光：重金挖角 ASML 前員工，利用逆向工程在深圳秘密組裝原型機

根據路透社的最新報導，在華府長達數年的技術封鎖下，中國科學家已在深圳的高安全性實驗室中，成功研發出能製造高階人工智慧（AI）晶片的 EUV（極紫外光）曝光機原型。

這部機器堪稱中國半導體領域的曼哈頓計畫，目標非常明確：要將美國勢力百分之百踢出供應鏈。

前 ASML 工程師組團逆向工程

這台在 2025 年初完工的原型機體積龐大，幾乎佔滿整個廠房。據消息人士透露，開發團隊的核心是一群曾在荷蘭半導體巨頭 ASML 工作過的資深工程師，他們透過逆向工程，試圖破解這項被西方國家壟斷的頂尖技術。

雖然這台機器目前已經可以產生極紫外光，但尚未進入實際量產晶片的階段。儘管 ASML 執行長福克（Christophe Fouquet）先前曾斷言，中國需要許多年才能趕上，但這台原型的出現，顯示中國達成半導體自主的時間可能比外界預期快得多。

為了保密，這項計畫簡直像諜報片。一名被挖角的資深工程師透露，他入職時領到的識別證竟然是假名，而且他在實驗室裡認出不少前同事，大家全都隱姓埋名在工作。

中國政府為了搶人毫不手軟，自 2019 年起便提供高達 300 萬至 500 萬人民幣的簽約獎金，甚至還提供購屋補貼與雙重國籍待遇，只求這群掌握技術關鍵的專家點頭回國。

三個關鍵方向

這項計畫採取的是去中心化的開發模式。而背後的華為將原本龐大的 EUV 系統拆解成數千個模組，分派給全國各地的研究機構研發。最後的組裝與整合則集中在深圳的秘密實驗室。這種方式不僅能分散風險，也讓單一環節的技術人員難以窺探全貌。

曝光機的光學系統是最核心的部分。ASML 使用的是德國蔡司（Carl Zeiss）提供的反射鏡，其表面平整度要求極高，如果把反射鏡放大到台灣面積，其誤差不能超過一根頭髮。這個任務據傳交由中國科學院長春光機負責，他們開發出多層膜塗層技術，試圖解決極紫外光極易被吸收的問題。雖然目前原型機的反射率與穩定度仍落後蔡司一大截，但已足以支撐實驗室環境下的運作。

此外，在零件的取得上，中國廠商透過多層空殼公司，在東南亞與歐洲的二手市場收購舊款 DUV 曝光機，並將其中的高精度軸承、感測器或真空幫浦進行拆解。雖然核心光源技術難以複製，但許多邊緣零組件如真空系統、冷卻模組等，在一般工業領域仍有替代品。中國正利用其龐大的工業基礎，將這些民用級零組件透過精密加工提升至準工業級。

雖然中國政府設定的目標是在 2028 年產出首批晶片，但相關人士認為 2030 年是比較實際的時程。儘管如此，這仍比分析師預估的 10 年差距縮短了不少。