韓媒傳出，三星電子正與客戶進行 Q3 價格談判，目標將通用型 DRAM 均價（ASP）調漲最多 20%，且 LPDDR 因供需出現「嚴重瓶頸」，漲幅可望超過 20%。與此同時，瑞銀（UBS）最新報告調高 DRAM、NAND 報價預估，預測 DRAM Q3 季增 32%、NAND 同季漲 30%。相較之下，SK 海力士的訂價趨勢相對平穩。
（前情提要：三星傳出 Q3 DRAM 再漲 20%！一年漲三次，AI 排擠產能燒向手機、PC）
（背景補充：三星宣布 HBM 良率衝破 70%！CTO 宋在赫喊次世代 DRAM 反超，猛追 SK 海力士）
本文目錄
- 三星 Q3 漲價態度強硬，LPDDR 出現嚴重瓶頸
- SK 海力士走穩：HBM 長約護體，訂價波動較小
- 通用型 DRAM 比重高，三星漲勢更猛
- 瑞銀上調 DRAM、NAND 報價預估
- AI 記憶體供需結構：漲價趨勢可能延續至 2027 年
韓媒《韓國 ZDNET》引述業界訊息報導，韓國記憶體大廠三星電子（Samsung Electronics）正在與客戶進行第三季價格談判，目標將通用型 DRAM 均價（ASP）較上季提高最多 20%。在此之前，三星 Q1、Q2 的 DRAM 均價季增幅已分別高達 90%、50~60%，連續三季漲價反映 AI 排擠傳統記憶體產能的結構性失衡。
三星 Q3 漲價態度強硬，LPDDR 出現嚴重瓶頸
半導體業界人士透露，三星電子在 Q3 的價格談判中展現了極為強硬的態度。對於近期在伺服器和行動端皆出現「嚴重瓶頸」的 LPDDR（低功耗雙倍資料速率記憶體），三星也準備將價格調漲 20% 以上。不過目前仍無法確定客戶是否會全盤接受——終端廠商可能以減少訂單量或轉向其他供應商作為談判籌碼。
SK 海力士走穩：HBM 長約護體，訂價波動較小
值得注意的是，競爭對手 SK 海力士（SK hynix）的訂價趨勢目前相對穩定。部分原因在於該公司更加依賴 AI 需要的高頻寬記憶體（HBM），而這些產品多以長期合約（LTA）為主，合約鎖定價格不易受短期市場波動影響。同時 SK 海力士即將赴美上市，市場預期其資本擴張能力將進一步拉開與三星在 HBM 領域的差距。
通用型 DRAM 比重高，三星漲勢更猛
業界評估，三星電子的 DRAM 均價漲勢之所以比 SK 海力士更為顯著，主因是價格波動較大的通用型 DRAM 在三星總產量中佔比較高，且三星在提高價格方面表現得最為積極。業界人士分析，三星在通用型 DRAM 的市佔率仍居全球首位，使其在議價空間上更具主導力。
瑞銀上調 DRAM、NAND 報價預估
瑞士銀行（UBS）近日亦調高了 DRAM 及 NAND 型快閃記憶體的報價預估。該證券預測，DRAM 報價預料將在 Q3、Q4 分別季增 32%、18%；NAND 報價預料將在 Q3、Q4 各季增 30%、12%。這項預測遠高於市場平均共識，顯示華爾街對 AI 帶動的記憶體超級週期維持高度樂觀。
AI 記憶體供需結構：漲價趨勢可能延續至 2027 年
業界普遍認為，這波記憶體漲價的根本驅動力來自 AI。三大記憶體廠（三星、SK 海力士、美光）已將約 93% 的產能轉向 HBM 生產，傳統 DRAM 供給被大幅排擠。而每生產 1 位元 HBM 需要吃掉比 DDR5 多約三倍的晶圓產能，新增產能最快 2027 年才放量。在供給緊縮與需求持續擴張的雙重壓力下，記憶體價格中長期仍具上行空間。
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