– Consegue uma redução de 26% no tamanho do chip e uma melhoria de 31% em Rss(on) com base na tecnologia Super-Short Channel FET
– Expande as soluções de proteção de bateria para uma vasta gama de dispositivos móveis.
SEUL, Coreia do Sul–(BUSINESS WIRE)–#BatteryFET–A Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, "Magnachip") anunciou hoje o lançamento do seu novo MOSFET MXT LV de 24V de 7.ª geração1 especificamente concebido para circuitos de proteção de bateria em smartphones tri-fold de próxima geração, reforçando a sua presença no mercado premium de smartphones dobráveis. O produto encontra-se atualmente em produção em massa e está a ser fornecido a um grande fabricante mundial de smartphones, tendo demonstrado desempenho e fiabilidade comprovados.
O MOSFET de canal N duplo de 24V recém-introduzido (MDWC24D058ERH) incorpora a tecnologia proprietária Super-Short Channel FET (SSCFET®)2 da Magnachip, reduzindo o tamanho do chip em aproximadamente 26% em comparação com a versão anterior. Isto permite aos fabricantes reduzir a área da placa do módulo de circuito de proteção da bateria (PCM) em mais de 20%, permitindo que o espaço poupado seja utilizado para aumentar a capacidade da bateria ou para designs de dispositivos mais finos.
Os smartphones tri-fold apresentam um novo formato que se dobra duas vezes e opera três ecrãs simultaneamente, permitindo multitarefa de alto desempenho. Como resultado, as suas estruturas internas tornaram-se mais complexas, eficientes em termos energéticos e fiáveis, ao mesmo tempo que se tornaram cada vez mais críticas no design. Consequentemente, estes dispositivos exigem soluções MOSFET altamente integradas e eficientes para gerir estruturas internas complexas, garantindo ao mesmo tempo estabilidade de energia.
Para além dos smartphones tri-fold, o novo produto pode ser aplicado numa vasta gama de aplicações móveis, incluindo dispositivos vestíveis e tablets. Reduz RSS(on), uma das principais fontes de perda de energia, em até aproximadamente 31%, ajudando a reduzir a geração de calor. O novo produto também melhora a densidade de corrente por unidade de área em aproximadamente 48% em comparação com processos de trincheira convencionais, suportando controlo de tensão estável em condições de alta corrente. Além disso, integra proteção contra descarga eletrostática (ESD) superior a 2kV, ajudando a proteger os sistemas de bateria contra perturbações externas.
De acordo com a empresa de investigação de mercado Omdia, o mercado de MOSFETs de potência de silício abaixo de 40V, incluindo batteryFETs de smartphones, deverá crescer de aproximadamente 4,2 mil milhões de dólares em 2025 para aproximadamente 5,2 mil milhões de dólares em 2029, representando uma taxa de crescimento anual composta de cerca de 4,6%. Dentro deste mercado, o segmento premium de smartphones, incluindo smartphones tri-fold, deverá impulsionar o crescimento, apoiado pela crescente procura de componentes de alto desempenho e alta eficiência.
"Os smartphones tri-fold representam dispositivos móveis de alta gama que requerem tecnologia avançada e fiabilidade superior dos componentes," afirmou Hyuk Woo, Diretor de tecnologia (CTO) da Magnachip. "Através do fornecimento deste novo produto MOSFET, demonstrámos mais uma vez as capacidades de design de semicondutores de potência e a competitividade tecnológica da Magnachip. No futuro, continuaremos a expandir o nosso portefólio de semicondutores de potência para uma vasta gama de aplicações móveis, incluindo smartphones, vestíveis e tablets, através de inovação contínua."
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Sobre a Magnachip Semiconductor
A Magnachip é uma empresa de design e fabricação de soluções de plataforma de semicondutores de potência analógicos e de sinal misto para várias aplicações, incluindo industrial, automóvel, comunicação, consumo e informática. A Empresa fornece uma vasta gama de produtos padrão a clientes em todo o mundo. A Magnachip, com cerca de 45 anos de historial operacional, detém um número substancial de patentes registadas e pedidos pendentes, e possui vasta experiência em engenharia, design e processos de fabrico. Para mais informações, visite www.magnachip.com. As informações no ou acessíveis através do website da Magnachip não fazem parte de, nem estão incorporadas neste comunicado.
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1 MXT LV MOSFET (Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): Família de produtos MOSFET de baixa tensão da Magnachip abaixo de 30V com base na sua mais recente tecnologia de processo de trincheira. | |
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2 SSCFET® (Super-Short Channel FET): Tecnologia de design MOSFET da Magnachip que aplica uma estrutura de comprimento de canal minimizado para alcançar baixa resistência em condução e alta capacidade de corrente. | |
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