Akcja Intel Corporation (INTC): Ryzykowna Produkcja 18A-P Wzmacnia Plan Działania Foundry

TLDR

• Intel rośnie o 3,05%, gdy 18A-P wchodzi w produkcję ryzyka na VLSI.
• INTC zyskuje, gdy Intel Foundry potwierdza postęp planu 18A-P.
• Intel 18A-P przynosi wzrost mocy, wydajności i elastyczności projektowania.
• Intel przedstawia prace nad skalowaniem układów w obszarze CFET, GaN i rutenu.
• Aktualizacja Intel Foundry wspiera akcje INTC po niestabilnych sesjach.

Akcje Intel Corporation (INTC) wzrosły do 120,61, o 3,05%, po burzliwej sesji zakończonej zdecydowanym odbiciem. Akcje początkowo spadły, ale później odbiły i zamknęły się blisko dziennych szczytów. Ruch nastąpił po nowych aktualizacjach Intel Foundry na Sympozjum VLSI 2026.

Intel Corporation, INTC

Intel 18A-P Wchodzi w Produkcję Ryzyka

Intel Foundry poinformował, że Intel 18A-P wszedł w produkcję ryzyka, zgodnie z harmonogramem przekazanym klientom w zeszłym roku. Aktualizacja oznacza pierwsze ulepszenie wydajności w rodzinie procesów Intel 18A. Wzmocniła również przekaz Intela dotyczący długoterminowej realizacji planów odlewni.

Firma przedstawiła Intel 18A-P jako kompatybilne projektowo ulepszenie Intel 18A. Dzięki tej kompatybilności klienci mogą ponownie wykorzystywać istniejącą własność intelektualną i przepływy projektowe. Takie podejście może zmniejszyć trudności, gdy projektanci układów przechodzą na ulepszony proces.

Intel podał, że 18A-P zapewnia o 9% wyższą wydajność przy tym samym poborze mocy. Oferuje również o 18% niższy pobór mocy przy tym samym poziomie wydajności. Tymczasem proces dodaje lepsze funkcje termiczne i szersze opcje projektowania.

Aktualizacje Procesu Wspierają Wzrost Wydajności i Efektywności Energetycznej

Intel wprowadził Power Boost, opcję tranzystora z podwójnym kontaktem dla Intel 18A-P. Funkcja ta obniża rezystancję, zwiększa prąd sterowania i wspiera wyższą częstotliwość przy dopasowanej pojemności. W rezultacie projektanci zyskują kolejną drogę do poprawy wydajności układu.

Firma odnotowała również o 20% do 40% lepszą rezystancję termiczną. Intel wskazał na o 10% do 30% lepszą rezystancję przelotową dzięki zmianom materiałowym i geometrycznym. Te aktualizacje dotyczą przepływu ciepła, dostarczania zasilania i przemieszczania sygnałów przez warstwy układu.

Intel dodał również nowe opcje tranzystorów niskonapięciowych i wysokowydajnych. Uwzględnił piątą parę progów napięcia logicznego między ULVT i LVT. Dzięki temu projektanci zyskują większą elastyczność przy balansowaniu szybkości, mocy i wydajności.

Prezentacje VLSI Dodają Długoterminowy Kontekst

Intel wykorzystał wydarzenie VLSI, aby powiązać 18A-P z wcześniejszymi pracami nad Intel 18A. Firma wprowadziła na rynek tranzystory gate-all-around i dostarczanie zasilania od tyłu w zeszłym roku. Technologie te wspierają teraz kolejne ulepszenia procesów i przyszłe plany skalowania.

Intel zaprezentował badania wykazujące 11% redukcję trasowanego obszaru i 10-krotnie niższy dynamiczny spadek napięcia. Firma stwierdziła, że te zyski mogą wspierać do 6% wyższą częstotliwość. Mogą również umożliwić ponad 15% niższą dynamiczną moc w porównaniu z porównywalną technologią frontside.

Intel zaprezentował również długoterminowe badania w obszarze CFET, integracji GaN i połączeń rutenowych. Prace nad CFET obejmowały układanie urządzeń NMOS i PMOS przy skoku bramki 45 nm. Tymczasem badania nad GaN i rutenem ukierunkowane były na zarządzanie zasilaniem, skalowanie połączeń i przyszłą efektywność układów.

The post Intel Corporation (INTC) Stock: 18A-P Risk Production Boosts Foundry Roadmap appeared first on CoinCentral.