ম্যাগনাচিপ ট্রাই-ফোল্ড স্মার্টফোন ব্যাটারি সুরক্ষার জন্য নতুন 24V ব্যাটারিFET লঞ্চ করেছে
– সুপার-শর্ট চ্যানেল FET প্রযুক্তির ভিত্তিতে চিপের আকার ২৬% হ্রাস এবং Rss(on) -এ ৩১% উন্নতি অর্জন করে
– মোবাইল ডিভাইসের বিস্তৃত পরিসরের জন্য ব্যাটারি সুরক্ষা সমাধান সম্প্রসারণ করে।
সিউল, দক্ষিণ কোরিয়া–(বিজনেস ওয়্যার)–#BatteryFET–Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, "Magnachip") আজ তার নতুন ৭ম-প্রজন্মের ২৪V MXT LV MOSFET1 চালু করার ঘোষণা দিয়েছে যা বিশেষভাবে পরবর্তী প্রজন্মের ট্রাই-ফোল্ড স্মার্টফোনে ব্যাটারি সুরক্ষা সার্কিটের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যা প্রিমিয়াম ফোল্ডেবল স্মার্টফোন বাজারে তার উপস্থিতি শক্তিশালী করছে। পণ্যটি এখন ব্যাপক উৎপাদনে রয়েছে এবং বর্তমানে একটি প্রধান বৈশ্বিক স্মার্টফোন প্রস্তুতকারকের কাছে সরবরাহ করা হচ্ছে, যা প্রমাণিত কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রদর্শন করেছে।
নতুন প্রবর্তিত ২৪V ডুয়াল N-চ্যানেল MOSFET (MDWC24D058ERH) Magnachip-এর মালিকানাধীন সুপার-শর্ট চ্যানেল FET (SSCFET®)2 প্রযুক্তি অন্তর্ভুক্ত করে, যা পূর্ববর্তী সংস্করণের তুলনায় চিপের আকার প্রায় ২৬% হ্রাস করে। এটি প্রস্তুতকারকদের ব্যাটারি সুরক্ষা সার্কিট মডিউল (PCM) বোর্ডের ফুটপ্রিন্ট ২০%-এর বেশি হ্রাস করতে সক্ষম করে, যা সংরক্ষিত স্থানকে বর্ধিত ব্যাটারি ক্ষমতা বা পাতলা ডিভাইস ডিজাইনের জন্য ব্যবহার করার অনুমতি দেয়।
ট্রাই-ফোল্ড স্মার্টফোনগুলি একটি নতুন ফর্ম ফ্যাক্টর বৈশিষ্ট্যযুক্ত যা দুইবার ভাঁজ হয় এবং একসাথে তিনটি ডিসপ্লে পরিচালনা করে, যা উচ্চ-কর্মক্ষমতা মাল্টিটাস্কিং সক্ষম করে। ফলস্বরূপ, তাদের অভ্যন্তরীণ কাঠামো আরও জটিল, শক্তি-দক্ষ এবং নির্ভরযোগ্য হয়ে উঠেছে, যখন ডিজাইনেও ক্রমবর্ধমান গুরুত্বপূর্ণ হয়ে উঠছে। তদনুসারে, এই ডিভাইসগুলি জটিল অভ্যন্তরীণ কাঠামো পরিচালনা করার জন্য অত্যন্ত সমন্বিত এবং দক্ষ MOSFET সমাধানের দাবি করে এবং শক্তি স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করে।
ট্রাই-ফোল্ড স্মার্টফোন ছাড়াও, নতুন পণ্যটি পরিধানযোগ্য ডিভাইস এবং ট্যাবলেট সহ মোবাইল অ্যাপ্লিকেশনের বিস্তৃত পরিসরে প্রয়োগ করা যেতে পারে। এটি RSS(on), যা শক্তি ক্ষয়ের একটি প্রধান উৎস, প্রায় ৩১% পর্যন্ত হ্রাস করে, যা তাপ উৎপাদন হ্রাস করতে সাহায্য করে। নতুন পণ্যটি প্রচলিত ট্রেঞ্চ প্রক্রিয়ার তুলনায় প্রতি ইউনিট এলাকায় কারেন্ট ঘনত্ব প্রায় ৪৮% উন্নত করে, যা উচ্চ-কারেন্ট পরিস্থিতিতে স্থিতিশীল ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ সমর্থন করে। এছাড়াও, এটি ২kV-এর বেশি ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ডিসচার্জ (ESD) সুরক্ষা একীভূত করে, যা বাহ্যিক বিঘ্ন থেকে ব্যাটারি সিস্টেমগুলি রক্ষা করতে সাহায্য করে।
বাজার গবেষণা সংস্থা Omdia অনুসারে, স্মার্টফোন ব্যাটারিFET সহ ৪০V-এর নিচে সিলিকন পাওয়ার MOSFET-এর বাজার ২০২৫ সালে প্রায় $৪.২ বিলিয়ন থেকে ২০২৯ সালে প্রায় $৫.২ বিলিয়নে বৃদ্ধি পাবে বলে আশা করা হচ্ছে, যা প্রায় ৪.৬% চক্রবৃদ্ধি বার্ষিক বৃদ্ধির হার প্রতিনিধিত্ব করে। এই বাজারের মধ্যে, ট্রাই-ফোল্ড স্মার্টফোন সহ প্রিমিয়াম স্মার্টফোন সেগমেন্ট বৃদ্ধি চালনা করবে বলে আশা করা হচ্ছে, যা উচ্চ-কর্মক্ষমতা এবং উচ্চ-দক্ষতা উপাদানগুলির ক্রমবর্ধমান চাহিদা দ্বারা সমর্থিত।
"ট্রাই-ফোল্ড স্মার্টফোনগুলি উচ্চ-সম্পন্ন মোবাইল ডিভাইসের প্রতিনিধিত্ব করে যার জন্য উন্নত প্রযুক্তি এবং উচ্চতর উপাদান নির্ভরযোগ্যতা প্রয়োজন," বলেছেন Hyuk Woo, Magnachip-এর চিফ টেকনোলজি অফিসার। "এই নতুন MOSFET পণ্যের সরবরাহের মাধ্যমে, আমরা আবারও Magnachip-এর পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিজাইন ক্ষমতা এবং প্রযুক্তিগত প্রতিযোগিতা প্রদর্শন করেছি। সামনে এগিয়ে, আমরা ক্রমাগত উদ্ভাবনের মাধ্যমে স্মার্টফোন, পরিধানযোগ্য এবং ট্যাবলেট সহ মোবাইল অ্যাপ্লিকেশনের বিস্তৃত পরিসরের জন্য আমাদের পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর পোর্টফোলিও সম্প্রসারণ অব্যাহত রাখব।"
সম্পর্কিত লিঙ্ক
পাওয়ার সলিউশন > MXT MOSFETs > 24V
সম্পর্কিত নিবন্ধ
Magnachip সুপার শর্ট চ্যানেল FET প্রযুক্তির ভিত্তিতে ৭ম-প্রজন্মের MXT LV MOSFET-এর উৎপাদন সম্প্রসারণ করেছে
Magnachip সুপার-শর্ট চ্যানেল FET II দিয়ে ডিজাইন করা তার প্রথম ৮ম-প্রজন্মের MXT LV MOSFET উন্মোচন করেছে
Magnachip Semiconductor সম্পর্কে
Magnachip শিল্প, স্বয়ংচালিত, যোগাযোগ, ভোক্তা এবং কম্পিউটিং সহ বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অ্যানালগ এবং মিক্সড-সিগন্যাল পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর প্ল্যাটফর্ম সমাধানের একটি ডিজাইনার এবং প্রস্তুতকারক। কোম্পানিটি বিশ্বব্যাপী গ্রাহকদের কাছে বিস্তৃত পরিসরের স্ট্যান্ডার্ড পণ্য সরবরাহ করে। প্রায় ৪৫ বছরের পরিচালনার ইতিহাস সহ Magnachip, যথেষ্ট সংখ্যক নিবন্ধিত পেটেন্ট এবং মুলতুবি আবেদনের মালিক, এবং ব্যাপক ইঞ্জিনিয়ারিং, ডিজাইন এবং উৎপাদন প্রক্রিয়া দক্ষতা রয়েছে। আরও তথ্যের জন্য, অনুগ্রহ করে www.magnachip.com পরিদর্শন করুন। Magnachip-এর ওয়েবসাইটে বা এর মাধ্যমে অ্যাক্সেসযোগ্য তথ্য এই প্রকাশের অংশ নয়, এবং এতে অন্তর্ভুক্ত নয়।
|
1 MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): Magnachip-এর সর্বশেষ ট্রেঞ্চ প্রসেস প্রযুক্তির ভিত্তিতে ৩০V-এর নিচে লো-ভোল্টেজ MOSFET পণ্য পরিবার। | |
|
2 SSCFET®(Super-Short Channel FET): Magnachip-এর MOSFET ডিজাইন প্রযুক্তি যা কম অন-রেজিস্ট্যান্স এবং উচ্চ কারেন্ট ক্ষমতা অর্জনের জন্য একটি ন্যূনতম চ্যানেল-দৈর্ঘ্যের কাঠামো প্রয়োগ করে। | |
যোগাযোগ
Mike Bishop
ইউনাইটেড স্টেটস (ইনভেস্টর রিলেশনস)
Bishop IR, LLC
টেলি. +1-415-891-9633
mike@bishopir.com
Kyeongah Cho
গ্লোবাল মার্কেটিং কমিউনিকেশন
Magnachip Semiconductor
টেলি. +82-2-6903-3179
pr@magnachip.com
আপনি আরও পছন্দ করতে পারেন
গনকা একটি নিয়মিত GiP মিটিং মেকানিজম চালু করেছে, যেখানে প্রথম মিটিং নেটওয়ার্ক স্কেলেবিলিটির উপর কেন্দ্রীভূত।
২০২৬ কি সেই বছর যখন ব্যাংকগুলি অবশেষে XRP গ্রহণ করবে? Clarity Act এবং Ripple-এর পরবর্তী পদক্ষেপ
